首頁 師資介紹 專任教師

 
柏良
教授/所長
Po-Liang Liu
專任教師
重要學經歷
學歷:國立台灣科技大學機械工程博士

現職:國立中興大學精密工程研究所教授兼所長108.8~
經歷:
國立中興大學精密工程研究所教授 104.8~
國立中興大學精密工程研究所副教授 101.2~104.7
國立中興大學精密工程研究所助理教授 97.8~101.1
國立中興大學精密工程研究所專案助理教授 95.8~97.7
美國亞利桑那州立大學天文及物理系博士後副研究員93.7~95.6
經濟部礦務局薦任礦場監督員 85.7~95.8
考試:
84年全國性公務人員高等考試冶金工程科及格
91年博士後研究人員公費留學考試工程學群及格
研究領域
1. II-VI、III-V、IV- IV族量子結構之物理特性研究。
2. 具犧牲層藍光二極體之磊晶成長技術開發。
3. 新穎IV族紅外線雷射及奈米光學元件研究。
4. 磊晶結構設計與分析。
5. 奈米物性之理論研究。
 
 
 
A.期刊論文
  1. Po-Liang Liu* and Kuo-Cheng Liao, “Accommodation at the interface of highly dissimilar GaN(0001)/Sc2O3(111) heteroepitaxial systems,” Scripta Materialia, vol.68, pp.211, 01 2013. (SCI)
  2. Ming-Hsien Lee, Po-Liang Liu*, Yung-An Hong, Yen-Ting Chou, Jia-Yang Hong, and Yu-Jin Siao, “Electronic band structures of Ge1−xSnx semiconductors: A first–principles density functional theory study,” Journal of Applied Physics, vol.113, pp.063517, 02 2013. (SCI)
  3. Po-Liang Liu* and Peng-Tsang Shao, “Electronic structure and band gap engineering of ZnO–based semiconductor alloy films,” Molecular Simulation, vol.DOI:10.1080/08927022.2013.7891, 04 2013. (SCI)
  4. Po-Liang Liu*, Yen-Ting Chou, and Jia-Yang Hong, “Valence–Band Offset of m–Plane GaN(1100) Films Grown on LiAlO2(100) Substrates,” Applied Physics Express, vol.6, pp.071001, 05 2013. (SCI)
  5. Po-Liang Liu* and Jia-Yang Hong, “Double–shell C60@C240 Fullerenes with Stone–Wales Defects for Hydrogen Storage: An ab–initio Study,” Journal of Applied Physics, vol.114, pp.114301, 06 2013. (SCI)
  6. Ming-Shiou Lin, Chia-Feng Lin*, Wan-Chun Huang, Guei-Miao Wang, Bing-Cheng Shieh, Jing-Jie Dai, Shou-Yi Chang, D. S. Wuu, Po-Liang Liu, and Ray-Hua Horng, “Chemical–Mechanical Lift-Off Process for InGaN Epitaxial Layers,” Applied Physics Express, vol.4, pp.062101, 01 2011. (SCI)
  7. Po-Liang Liu* and Yu-Jin Siao, “Ab initio study on preferred growth of ZnO,” Scripta Materialia, vol.64, pp.483-485, 01 2011. (SCI)
  8. Po-Liang Liu*, Yu-Jin Siao, Yen-Ting Wu, Chih-Hao Wang and Chien-Shun Chen, “Structural, electronic and energetic properties of GaN[0001]/Ga2O3[100] heterojunctions: A first-principles density functional theory study,” Scripta Materialia, vol.65, pp.465-468, 05 2011. (SCI)
  9. Yu-Jin Siao, Po-Liang Liu*, and Yen-Ting Wu, “Ab initio Study of Atomic Hydrogen on ZnO Surfaces,” Applied Physics Express, vol.4, pp.125601, 11 2011. (SCI)
  10. Po-Liang Liu, “Highly Strained Metastable Heterojunction between Wurtzite GaN(0001) and Cubic CrN(111),” Journal of The Electrochemical Society, vol.157, pp.D577-D581, 09 2010. (SCI)
  11. Yu-Li Tsai, Ray-Hua Horng*, Ming-Chun Tseng, Chia-Hao Kuo, Po-Liang Liu, Dong-Sing Wuu, and Der-Yuh Lin, “Phase separation phenomenon in MOCVD–grown GaInP epitaxial layers,” Journal of Crystal Growth, vol.311, pp.3220, 04 2009. (SCI)
  12. Yu-Li Tsai, Ray-Hua Horng*, Po-Liang Liu, Ming-Chun Tseng, Der-Yuh Lin, Dong-Sing Wuu, and Xinhe Zheng, “Elimination of phase separation in MOCVD–grown GaInP epilayers by compositionally step–graded Ga1–xInxP multilayers,” Journal of Applied Physics, vol.106, pp.063517, 09 2009. (SCI)
  13. Po-Liang Liu, A. V. G. Chizmeshya, and John Kouvetakis, “Structural, electronic, and energetic properties of SiC[111]/ZrB2[0001] heterojunctions:A first-principles density functional theory study,” Physical Review B, vol.77, no.3, pp.035326, 01 2008. (SCI)
  14. Po-Liang Liu, “The Relation Between the Distribution of Dihedral Angels and the Wetting Angle during Liquid Phase Sintering,” Computational Materials Science, vol.36, no.4, pp.468-473, 05 2006. (SCI)
  15. Rahul Trivedi, Po-Liang Liu, Radek Roucka, John Tolle, A.V.G. Chizmeshya, I. S. T. Tsong and J. Kouvetakis, “Mismatched Heteroepitaxy of Tetrahedral Semiconductors with Si via ZrB2 Templates,” Chemistry of Materials, vol.17, no.18, pp.4647-4652, 06 2005. (SCI)
  16. Po-Liang Liu, A. V. G. Chizmeshya, John Kouvetakis, and Ignatius S. T. Tsong, “First-Principles Studies of GaN(0001) Heteroepitaxy on ZrB2(0001),” Physical Review B, vol.72, pp.245335, 11 2005. (SCI)
  17. Z. T. Wang, Y. Yamada-Takamura, Y. Fujikawa, T. Sakurai, Q. K. Xue, J. Tolle, P.-L. Liu, A. V. G. Chizmeshya, J. Kouvetakis, and I.S.T. Tsong, “Surface and interface studies of GaN epitaxy on Si(111) via ZrB2 buffer layers,” Physical Review Letters, vol.95, pp.266105, 12 2005. (SCI)
 
前沿研究
奠基於密度泛函理論(Density Functional Theory)的第一原理計算方法,隨著高速電腦效能的日新月異,成功地拓展了在原子尺度下研究材料科學精確度與視野,也提供人們預測與設計新穎未來材料的能力。
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NT $ 82.5萬 氣化鋅鎵基氣體感測器應用於NO2與H2S氣體測定
科技部工程司108年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 95.9萬 新世代氣相沉積鑽石薄膜成長技術研發(2/2)
中國砂輪企業股份有限公司107年度產學合作計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 82.5萬 氣化鋅鎵基氣體感測器應用於NO2與H2S氣體測定
科技部工程司108年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 95.9萬 新世代氣相沉積鑽石薄膜成長技術研發(2/2)
中國砂輪企業股份有限公司107年度產學合作計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 412.8萬 高效率低漏電微型發光二極體晶粒之設計與製作三年計畫
科技部工程司107-110年度一般型計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 70萬 新世代氣相沉積鑽石薄膜成長技術研發
中國砂輪企業股份有限公司106年度產學合作計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 100.1萬 利用過渡金屬摻雜二六族材料應用於新世代紅外線飛秒雷射第一原理計算研究
科技部工程司104年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 69.6萬 次世代奈米儲氫碳材之量子理論研究
科技部工程司103年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 48.7萬 前瞻摻雜鉻離子之二六族材料應用於醫療級雷射第一原理計算研究
科技部103年度(第52屆)補助科學與技術人員國外短期研究
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 75.1萬 新穎犧牲層應用於高亮度/高功率固態照明之關鍵技術開發
國科會工程處102年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 15萬 新穎功能性磊晶層之第一原理Pourbaix相圖研究(2/2)
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫102年度全面提昇學術領域計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 909萬 建構於氮化鎵模板之高功率發光二極體技術開發(2/2)
國家型科技計畫(產學合作)-開發型 100-101年度產學合作計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 15萬 新穎功能性磊晶層之第一原理Pourbaix相圖研究
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫 101年度全面提昇學術領域計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 25萬 富勒烯儲氫特性之理論計算研究
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫 100年度全面提昇學術領域計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 1600萬 高功率發光二極體之智慧型模版技術開發兩年計畫
經濟部學界開發產業技術計畫99-100年度學界科專計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 1127萬 建構於氮化鎵模板之高功率發光二極體技術開發(1/2)
國家型科技計畫(產學合作)-開發型99-100年度產學合作計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 38萬 次世代奈米儲氫碳材之量子理論研究
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫99年度全面提昇學術領域計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 42萬 氮化鎵/氧化鎵奈米異質界面特性之量子理論研究
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫98年度全面提昇學術領域計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 191萬 新四族化合物半導體Si-Sn-Ge之第一原理計算研究
國科會自然處95-97年度新進人員計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 500萬 高功率sapphire-free藍(白)光發光二極體關鍵技術研發
中興大學發展國際一流大學及頂尖研究中心計畫97年度重點領域拔尖計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 60萬 次世代藍光/綠光/紫外光化合物半導體之理論研究
中興大學97新進人員計畫
計畫主持人:劉柏良
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NT $ 2000萬 發光二極體高值化關鍵技術開發二年計畫
經濟部學界開發產業技術計畫97-98年度學界科專計畫
共同主持人:劉柏良
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NT $ 209萬 次世代藍光與紫外光化合物半導體之理論研究
國科會自然處98-100年度一般型計畫
計畫主持人:劉柏良
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計算設備
High performance computing
主要研究設備為高效能Linux Cluster叢集,搭配高速傳輸設備,伺服器透過PBS軟體的協助,有效的分配各平行程式所需使用到的硬體資源,使用熱門凝態物理計算之VASP(為由奧地利維也納大學所發展的 Vienna Ab-initio Simulation Package)與CASTEP(為由劍橋大學卡文迪西實驗室所發展的CAmbridge Serial Total Energy Package)之第一原理(First Principle)計算程式,乃是基於密度泛函理論(Density Functional Theory),並配合投影綴加波方法(Projector Augmented Wave, PAW)、局域密度近似法(Local Density Approximation, LDA)與超軟膺勢位能(Ultra-soft Pseudopotential)等計算方法,研究重點包括(1)計算半導體薄膜之磊晶穩定性、應變性質、光學性質與載子傳輸性質,理論計算結果將用以設計研發次世代光電元件等。(2)利用第ㄧ原理分子動力學模擬,計算分子經由催化劑解離或吸附之過渡態反應途徑的位能曲線與反應時間等,用以研發次世代奈米儲氫碳材之量子理論研究等。
實驗室成員
98 蕭宇晉 / 利用第一原理計算探討氧化鋅磊晶薄膜擇優生長機制與特性
98 王致皓 / 利用第一原理分子動力學研究奈米碳材儲氫機制與特性
98洪永安 / 利用第一原理探討鍺錫化合物半導體之能帶結構與光學特性

99吳彥廷 / 利用第一原理計算探討氫氣及氨氣在氧化鋅表面之研究
99張孝維 / 表面能量子計算方法之探討
99邵鵬蒼 / 利用第一原理探討氧化鋅半導體合金薄膜之電子結構與能帶工程
99陳建舜 / 利用第一原理計算研究氫氣及氨氣在氧化鎵表面之影響

100蕭宇岑 / 第一原理計算(AlCrTiZr)N高熵合金之彈性性質與銅擴散研究
100廖國成 / 第一原理計算氮化鎵磊晶成長於氧化釓與氧化鈧之異質界面結構
100周彥廷 / 氮化鎵/氧化鋁酸鋰與氮化鎵/氧化鎵酸鋰異質界面結構之第一原理研究
100洪嘉陽 / 利用第一原理探討缺陷雙層富勒烯C60@C240儲氫結構
100朱益民 / 第一原理計算氮化鎵與氧化鎵異質結構與氧化鎵電極電位與pH圖之研究

101陳彥瑋 / 氧化鉺/矽異質界面結構之第一原理研究
101王煥晨 / 以第一原理計算探討氨氣與氮化鎵(0001)及(000-1)表面之表面能研究
101詹鈞翔 / 利用第一原理計算探討含缺陷之雙層奈米碳管(6,6)/(11,11)儲氫結構
101林榜文 / 利用第一原理計算探討Cr2+0.25Zn0.75Te、V2+0.25Zn0.75Te及Mn2+0.25Zn0.75Te飛秒雷射與電光特性
101林忠信 / 氧化釓異質磊晶於矽之全始算研究
101蔡炎鉸 / 第一原理計算α-(001)表面能研究
101林祥淵 / 矽差排網路之全始算研究

102楊文翰 / 氧化鎵/氮化鈦異質界面結構之第一原理研究
102徐郁為 / 利用第一原理計算探討TMxZn1-xS(TM=Ti2+, Cr2+, Mn2+, Fe2+, Co2+ and Ni2+, x=0.03, 0.25) 飛秒雷射與電光特性
102林致宇 / 利用第一原理計算探討含缺陷之碳微環和儲氫結構
102林政鴻 / 利用第一原理計算探討TMxCd1-xSe(TM=Ti2+, Cr2+, Mn2+, Fe2+, Co2+ and Ni2+, x=0.03, 0.25) 飛秒雷射與電光特性
102張百慶 / 利用第一原理計算探討TMxZn1-xSe(TM=Ti2+, Cr2+, Mn2+, Fe2+, Co2+ and Ni2+, x=0.03, 0.25) 飛秒雷射與電光特性
102徐煜傑 / 利用第一原理探討含缺陷之雙層氮化硼奈米館(6,6)/(11,11)儲氫結構
102葉時成 / 利用第一原理計算探討含缺陷之雙層富勒烯B24N36@B113N127儲氫結構
102楊家銘 / 外循環滾珠螺桿迴流路徑動態模擬分析

103陳劭旻 / 利用第一原理計算探討硼碳氮三元化合物超硬合金之機械性質
103吳彥儒 / 利用第一原理理論計算研究氧化鈷/鈷介面的磁性結構
103楊景旭 / 氯化鉻在閃鋅礦結構硫化鋅(111)及烏采結構硫化鋅(0001)表面全始算研究
103王鈺憲 / 硫化鋅/氟化鈣異質介面結構之第一原理研究

104傅智雍 / 氮化鎵/石墨烯/矽基板異質界面結構界面能之第一原理研究
104雷文騰 / 利用第一原理計算研究類氮化矽結構之硼碳氮化合物機械性質
104吳禹衡 / 利用第一原理計算研究鎳鐵合金/錳介面的磁性結構

105史展維 / 探討CHx (x = 1-3)分子在β-SiC(111)表面上對於鑽石成長之第一原理研究
105蘇偉中 / 第一原理計算研究Diamond/β-SiC之異質結構用於切削工具
105楊奕科 / 第一原理計算探討化學機械平坦化製程中三唑分子作為銅腐蝕抑制劑之吸附研究
105簡呈宇 / 利用第一原理理論計算探討銀與銅薄膜相轉變機制
105莊子廣 / 第一原理計算探討應力誘發ZnGa2O4/Al2O3異質界面與薄膜結構特性研究
105許廷晏 / 第一原理計算研究類藍絲黛爾石結構硼碳氮化合物之機械性質
105林毅欣 /第一原理計算研究bc8結構硼碳氮化合物之機械性質
105陳瑩豪 /第一原理計算探討銅腐蝕抑制劑於氧化亞銅表面用於化學機械平坦化

106李宗哲 / 第一原理計算研究氮對鑽石薄膜成長之影響
106江奕鋐 / 第一原理計算探討二氧化氮與硫化氫分子對於氧化鋅鎵(111)表面之功函數變化用於氣體感測器
106謝宇軒 / 第一原理計算鈣鈦礦CsPbBr3及CsPbI3拓樸絕緣體研究